Products category | Main parameters |
NPN Silicon general purpose power transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 50 ～ 800mA | V CEO ： 20 ～ 60V |
PNP Silicon general purpose power transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 100 ～ 800mA | V CEO ： 24 ～ 60V |
NPN Silicon amplifying transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 100mA | V CEO ： 35 ～ 50V |
PNP Silicon amplifying transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 50mA | V CEO ： 45V |
NPN Silicon high frequency transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 25 ～ 100mA | V CEO ： 11 ～ 25V |
NPN Silicon high voltage transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 50 ～ 500mA | V CEO ： 40 ～ 330V |
PNP Silicon high voltage transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 500mA | V CEO ： 150 ～ 300V |
NPN Silicon switching transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 200mA | V CEO ： 15V |
PNP Silicon switching transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 80mA | V CEO ： 12V |
NPN Silicon driving transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 500mA | V CEO ： 60 ～ 80V |
PNP Silicon driving transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 500mA | V CEO ： 60 ～ 80V |
NPN Silicon Darlington transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 300mA | V CEO ： 30V |
PNP Silicon Darlington transistor | P tot ： 225mW | Ic ： 500mA | V CEO ： 30V |
N-channel TMOS field effect transistor | P tot ： 225mW | I D ： 115mA | V DSS ： 60V | g FS ≥80 mmhos |
Silicon switching diode | I F ： 100 ～ 300mA | V R ： 35 ～ 200V | T rr ： 4.0 ～ 50ns | I R ： 0.1 ～ 5.0 µ A |
Silicon Schottky diode | I F ： 100 ～ 200mA | V R ： 30V | T rr ： 5.0ns | I R ： 20 µ A |
Silicon zener diode | P tot ： 225mW | V Z ： 2.4 ～ 7.5V | r z ： 0.1 ～ 240 Ω | I R ： 0.05 ～ 100 µ A |
