結型場效應晶體管利用場效應原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應就是改變外加垂直於半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中的多數載流子的密度或類型。這種晶體管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是由電壓調制溝道中的電流，其工作電流是由半導體中的多數載流子輸運，少數載流子實際上沒有作用。這類只有一種極性載流子參加導電的晶體管又稱單極晶體管。 1925～1926年美國的J.E.裏林菲德提出靜電場對導電固體中電流影響的基本概念。1933年O.海爾提出薄膜FET 器件的結構模型，在實驗中觀察到“場效應”現象，但當時由於工藝水平所限，沒有做成實用器件。1952年以後，W.B.肖克萊提出結型場效應管（JFET）的基本理論。一年以後制成JFET。60年代初發展了金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）。1966年美國的C.米德提出了肖特基勢壘柵場效應管（MESFET）。
與雙極型晶體管相比，FET的特點是輸入阻抗高，噪聲小，極限頻率高，功耗小，溫度性能好，抗輻照能力強，多功能，制造工藝簡單等。由於電荷存儲效應小、反向恢複時間短，故開關速度快，工作頻率高。器件特性基本呈線性或平方律，故互調和交調乘積遠比雙極型晶體管爲小。FET已廣泛用於各種放大電路、數字電路和微波電路等。FET是MOS大規模集成電路和MESFET超高速集成電路的基礎器件。 |
