| 高Tg值170℃(TMA)
Dk:3.6-3.8(1GHz)
Df:0.010-0.012(1GHz) | 适用于高速传输的低介电高耐热性材料,适合无铅制程. | 1.低介电常数,低介电损耗.
2.优良的耐热性,适用于Lead Free.
3.耐金属离子迁移性.
4.优良的尺寸安定性及通孔可靠性.
5.优良的电性能和化学性能
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| 高Tg值195℃(DSC)
Dk:3.6-3.8(1GHz)
Df:0.010-0.012(1GHz) | 适用于高速传输的低介电高耐热性材料,适合无铅制程. | 1.低介电常数,低介电损耗.
2.优良的耐热性,适用于Lead Free.
3.优良的电性能和化学性能.
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