项目 | 技术 |
系列 | TFT660 | TFT680 |
输出波形 | TTL | CMOS |
频率范围 | 1.000MHz to 100.000MHz(Available in E/D Function) |
频率稳定性 | ±50PPM |
储存温度 | -55℃ to 125℃ |
工作温度 | -10℃ to 60℃ (-40℃to 85℃ available) |
输出波形对称性 | 40-60﹪＠1.4VDC(45-55﹪available) | 40-60﹪＠0.5VDC(45-55﹪available) |
Input | 电压:VDD | +5.0Vdc±10﹪(3.3Vdc±10﹪available) |
电流:IDD | 1.000MHz to3.000MHz,≤20mA |
3.001 MHz to 32.000 MHz, ≤35mA |
≥32.000MHz, ≤45mA |
上升时间 | TR | 6ns |
下降时间 | TF | 6ns |
输出电压 | VOL | 0.4VDC Max | 0.1VDD Max |
VOH | 2.4 VDC Max | 0.9VDD Min |
输出负载 | 10LSTTL | 15pf |
起动时间 | ＜10ms |
抗冲击能力 | ±10ppm Max |
